Gleichwertig:
● John Crane S32D
Betriebsgrenzen:
● Temperatur: -20 Grad - plus 220 Grad
● Druck: Kleiner oder gleich 10 bar
● Geschwindigkeit: Kleiner oder gleich 10 m/s
● Schaftgröße: 25 mm - 125 mm
Materialien:
● Dichtungsringe: Harzkohle, Antimonkohle, SIC, SSIC, Wolframcarbid
● Elastomere: FKM, FFKM, EPDM, AFLAS, NBR
● Metallteil: SS304, SS316, Duplex, Hastelloy C, 904L
Baugruppen-DWG:
*Verwandte Einführung*
Die Entwicklungsgeschichte von Siliziumkarbid
Siliziumkarbid ist eine Art Karbid, das 1891 zufällig im Labor von American Acheson während des Elektrofusionsdiamant-Experiments entdeckt wurde. Damals wurde es fälschlicherweise für eine Mischung aus Diamanten gehalten, daher wurde es Emery genannt. Es wurde 1893 von Acheson erforscht. Das industrielle Verfahren zum Schmelzen von Siliziumkarbid, das allgemein als Acheson-Ofen bezeichnet wird, wurde bis heute verwendet. Der Widerstandsofen mit kohlenstoffhaltigem Material als Ofenkern wird mit Energie versorgt, um die Mischung aus Quarz, SiO 2 und Kohlenstoff zu erhitzen, um Siliziumkarbid herzustellen.
Mehrere Veranstaltungen zum Thema Siliziumkarbid:
1905 wurde erstmals Siliziumkarbid in einem Meteoriten entdeckt.
1907 wurde die erste Siliziumkarbid-Kristall-Leuchtdiode geboren.
1955, ein großer Durchbruch in Theorie und Technologie, schlug LELY das Konzept der wachsenden hochwertigen Karbonisierung vor und verwendete seitdem SiC als wichtiges elektronisches Material.
1958 fand in Boston die erste World Silicon Carbide Conference zum akademischen Austausch statt.
1978 wurde Siliziumkarbid hauptsächlich von der ehemaligen Sowjetunion in den 1960er und 1970er Jahren erforscht. 1978 wurde zum ersten Mal die Kornreinigungs- und Wachstumsmethode der „LELY Improved Technology“ übernommen.
Von 1987 bis heute wurde auf der Grundlage der Forschungsergebnisse von CREE eine Siliziumkarbid-Produktionslinie aufgebaut, und Lieferanten begannen, kommerzielle Siliziumkarbid-Grundlagen bereitzustellen.
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